RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 1, страницы 204–206 (Mi qe8843)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Глубина образования ударной волны при воздействии лазерного излучения на поверхность монокристаллического молибдена

Л. И. Иванов, Н. А. Литвинова, В. А. Янушкевич


Аннотация: Экспериментально подтверждена возможность перехода упругой волны в ударную волну. Переход приводит к резкому увеличению числа дефектов в кристаллической решетке. На примере молибдена, облученного по плоскости (100) рубиновым лазером в режиме модуляции добротности, показано, что на глубине, соответствующей существенному искажению фронта волны напряжений, вызванных лазерным воздействием, и переходу ее в ударную волну, наблюдается максимум концентрации дефектов. Положение максимума хорошо согласуется с теорией. Выведен критерий возможности образования ударной волны, пригодный не только в случае лазерного облучения.

УДК: 535.21

PACS: 62.50.+p

Поступила в редакцию: 20.04.1976
Исправленный вариант: 18.06.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:1, 121–122


© МИАН, 2024