RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 3, страницы 575–581 (Mi qe8852)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Двухфотонные переходы в системе сталкивающихся частиц

П. А. Апанасевич, А. П. Низовцев

Институт физики АН БССР, Минск

Аннотация: Впервые рассмотрены процессы ВКР и двухфотонного поглощения (испускания), приводящие к изменению состояний двух сталкивающихся частиц. Такие процессы вызываются взаимодействием дипольных моментов, возникающих вследствие поляризации частиц излучением. Получены уравнения, описывающие многофотонные переходы при столкновении двух частиц в поле излучения. В рамках приближения прямолинейных пролетов найдены и проанализированы выражения для сечения столкновительных двухфотонных переходов в слабых и сильных полях. Показано, что сечение таких переходов в полях $\mathcal E\approx10^3$ ед. СГСЭ может достигать $10^{-14}$ см$^2$.

УДК: 535.353

PACS: 79.-.XN, 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 03.05.1978
Исправленный вариант: 18.08.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:3, 341–345


© МИАН, 2024