RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 3, страницы 623–625 (Mi qe8879)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

О механизме генерации на переходах 4d3D1,2–5p3P20 атома стронция

П. А. Бохан, В. Д. Бурлаков

Институт оптики атмосферы СО АН СССР, Томск

Аннотация: Исследованы энергетические и временные характеристики линий генерации 3066,2 и 3011,1 нм лазера на парах стронция в зависимости от разрядных условий. Приводятся экспериментальные данные, подтверждающие гипотезу о том, что механизмом опустошения нижнего рабочего уровня исследуемых линий является столкновительная спин-орбитальная релаксация в мультиплете 3Pj0. Сделан вывод о перспективности поиска столкновительной генерации в атомах и ионах с большим мультиплетным расщеплением.

УДК: 621.378

PACS: 42.55.Hg

Поступила в редакцию: 20.01.1978
Исправленный вариант: 21.07.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:3, 374–376


© МИАН, 2024