RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 3, страницы 635–638 (Mi qe8886)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Влияние истощения накачки на процесс сверхизлучения при комбинационном рассеянии света

В. И. Емельянов, В. Н. Семиногов

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: С учетом истощения накачки в одномодовом приближении рассмотрен процесс сверхизлучения при комбинационном рассеянии (СИКР) света. Исследована динамика разности населенностей и временная форма импульса СИКР. Показано, что учет истощения накачки выявляет дополнительное условие наблюдения СИКР – ограничение на плотность среды сверху на уровне ~1019 см–3. Отмечается, что вследствие этого наблюдение СИКР более вероятно в газовых средах.

УДК: 535.375.5

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 07.08.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:3, 383–385


© МИАН, 2024