RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 3, страницы 641–644 (Mi qe8888)

Краткие сообщения

Четырехфотонная параметрическая генерация в парах таллия

В. В. Лебедев, В. М. Плясуля, Г. М. Барыкинский

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Проведены исследования по оптимизации процесса четырехфотонной параметрической генерации типа когерентного антистоксова рассеяния в парах таллия в области 277 нм. Исследована зависимость мощности генерации от давления паров таллия, значения конфокального параметра, отстройки от двухфотонного резонанса и мощности накачки. Обнаруженное значительное насыщение мощности параметрической генерации как по мощности накачки, так и по давлению паров объясняется нарушением взаимодействия волн за счет сильного высокочастотного эффекта Керра в условиях двухфотонного резонанса.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 16.08.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:3, 387–389


© МИАН, 2024