RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 2, страницы 428–429 (Mi qe8896)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Излучение двойных гетероструктур PbTe–Pb1–xSnxTe–PbTe

Л. Н. Курбатов, А. Д. Бритов, С. М. Караваев, Г. А. Калюжная, М. И. Николаев, О. В. Пелевин, Б. Г. Гирич, Т. Ф. Терехович


Аннотация: Работа является этапом на пути создания лазера с ограничением на халькогенидах свинца – олова. Получено лазерное излучение на двойных гетероструктурах, в которых активный слой PbSnTe создан жидкостной эпитаксией, а гетеропереход газовой эпитаксией PbTe.

УДК: 621.378.55

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 18.03.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:2, 236–237


© МИАН, 2024