RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 4, страницы 833–836 (Mi qe8916)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Краткие сообщения

Нестационарная оптическая память в кристалле ниобата лития

И. Б. Барканab, А. В. Воробьевab, С. И. Маренниковab

a Институт теплофизики CO АН СССР, Новосибирск
b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Получены временные, температурные и концентрационные зависимости процессов образования и релаксации фазовых голограмм в ниобате лития, легированном железом. На объемной фазовой голографической решетке с периодом 0,69 мкм и толщиной 14 мм получены угловая селективность 22" и спектральная селективность 1,36 Å.

УДК: 772.99:681.14

PACS: 42.30.Nt, 42.40.My

Поступила в редакцию: 05.07.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:4, 492–494


© МИАН, 2024