RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 12, страницы 2699–2703 (Mi qe8947)

Краткие сообщения

О возможности воздействия на коэффициент усиления энтальпийного вынужденного рассеяния света

В. С. Зуев, О. Ю. Носач, Е. П. Орлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние лазерных параметров на коэффициент усиления энтальпийного вынужденного рассеяния света на ультразвуке в активной среде йодных фотодиссоционных лазеров. Показано, что существует диапазон интенсивностей возбуждающего лазерного излучения, в котором с ростом интенсивности происходит резкое падение коэффициента усиления вынужденного рассеяния. Варьируя сечение лазерного перехода, можно сдвигать этот диапазон и в широких пределах менять коэффициент усиления вынужденного рассеяния. Полученные результаты являются обнадеживающими, с точки зрения получения высокой направленности излучения мощных лазеров.

УДК: 621.397.61

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 06.05.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:12, 1644–1646

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024