RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 7, страницы 605–610 (Mi qe8967)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды

Мощный источник спонтанного излучения в УФ области: режимы возбуждения

Е. Х. Бакштa, М. И. Ломаевa, А. Н. Панченкоa, Д. В. Рыбкаa, В. Ф. Тарасенкоa, М. Кришнанb, Д. Томпсонb

a Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
b Alameda Applied Sciences Corporation, USA

Аннотация: Проведены исследования различных режимов возбуждения разряда в импульсной ксеноновой лампе. Показано, что при переходе от колебательного режима протекания тока разряда к режиму однополярного импульса мощность излучения в УФ области возрастает, а длительность импульса излучения на полувысоте уменьшается. Максимальная плотность мощности УФ излучения разряда, ограниченного стенками колбы лампы, составила ~700 кВт/см2 на внутренней поверхности колбы и ~380 кВт/см2 на внешней.

PACS: 52.80.Yr, 42.72.Bj

Поступила в редакцию: 18.04.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:7, 605–610

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024