RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 2, страницы 169–172 (Mi qe899)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Активные среды

Инверсная населенность в разрядной плазме с неустойчивостями типа перетяжки

К. Н. Кошелевa, Х.-И. Кунцеb

a Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Москва
b Institut fur Experimentalphysik V, Ruhr-Universität Bochum, Germany

Аннотация: Обсуждена возможность использования сильных плазменных потоков, вытекающих из фокусов-перетяжек столба плазмы аксиального разряда. Селективная рекомбинация этих ионов в результате перезарядки на менее заряженных ионах в основном столбе плазмы или на нейтральных атомах в остаточном газе разрядной камеры может создать инверсию населенностей на переходах в мягкой рентгеновской и ВУФ областях спектра. Рассмотрены общие проблемы, возникающие в предлагаемой схеме, количественно оценена инверсия на переходах 4 → 3 в Li-подобных ионах кислорода с эффективным зарядом Z = 6 в пинчевых разрядах с импульсным напуском газа и током в несколько сотен килоампер.

PACS: 52.75.Va, 52.55.Ez, 52.35.Py

Поступила в редакцию: 17.04.1995


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:2, 164–167

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024