RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 9, страницы 1799–1805 (Mi qe9011)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Активные среды

Резонансное влияние характеристик активной среды на форму частотных резонансов в двухмодовом He–Ne/CH4-лазере

А. В. Никульчин, Е. В. Ковальчук

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: В лазерах с внутренней поглощающей ячейкой рассмотрен механизм искажения формы частотных резонансов (ЧР), связанный с добавкой резонанса мощности к линии насыщенной дисперсии через характеристики усиливающей среды. Получено выражение для формы ЧР с учетом резонансного влияния параметров активной среды в двух- и одномодовом режимах генерации. Проведено экспериментальное исследование асимметрии резонансов и сдвигов частоты стабилизированного двухмодового He–Ne/CH4-лазера при различных уровнях спектрального разрешения.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.70.Hj, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 24.06.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:9, 1157–1161

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024