RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страницы 1010–1018 (Mi qe9034)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Кинетика образования эксимеров в лазерах на смесях инертных газов со фтором

Н. Г. Басов, В. А. Данилычев, В. А. Долгих, О. М. Керимов, В. С. Лебедев, А. Г. Молчанов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследуется зависимость от давления и температуры интенсивности полос излучения эксимеров в газовых смесях Ar–F2, Ar–Kr–F2 и Kr–Xe–F2. Обнаруженное повышение интенсивности спонтанного и вынужденного излучения на длине волны 248 нм при повышении температуры в смеси Ar–Kr–F2 связывается с перераспределением энергии между эксимерами KrF*, ArKrF* и Kr2F*.

УДК: 621.373.8.038.823

PACS: 42.55.Fn

Поступила в редакцию: 20.07.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:5, 593–597


© МИАН, 2024