RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страница 1074 (Mi qe9058)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Краткие сообщения

Генерация на связанно-свободном переходе C(3/2) – A(3/2) молекулы XeF при фотодиссоциации XeF2

Н. Г. Басов, В. С. Зуев, А. В. Канаев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается о получении лазерной генерации в области 455–495 нм на переходе C(3/2) – A(3/2) эксимера XeF при накачке ВУФ излучением открытого сильноточного разряда смесей, содержащих XeF2, N2 и Ar. Длительность импульса генерации 1,5 мкс, энергия 4 мДж.

УДК: 621.375.826

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 28.02.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:5, 629


© МИАН, 2024