RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страницы 1086–1087 (Mi qe9066)

Краткие сообщения

Импульсная генерация на электронных переходах молекулы J2 при оптической накачке лазером на парах меди

В. М. Каслин, Г. Г. Петраш, О. Ф. Якушев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается о получении импульсной генерации с частотой следования 7 кГц на новых переходах системы B3ПuX1Σg+ молекулы J2 при оптической накачке лазером на парах меди, работающим в желтой и зеленой областях спектра. Лазеры на парах металлов, способные одновременно обеспечивать высокие пиковую и среднюю мощности, являются удобными источниками накачки двухатомных молекул. Возбуждение молекул йода происходило по пяти каналам. Наиболее эффективными оказались переходы на уровни (υ' = 14, J' = 52) и (υ' = 16, J' = 30) состояния B, накачиваемые желтой линией 578,2 нм. Спектр молекулярной генерации состоял из характерных дублетов в области 1,016–1,34 мкм. При эффективности преобразования энергии 1% суммарная пиковая мощность генерации составила 30 Вт.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 10.12.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:5, 639


© МИАН, 2024