RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 5, страницы 1047–1054 (Mi qe9072)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применение лазеров и прочее

Кинетика образования приповерхностной лазерной плазмы в отсутствие разрушения поверхности

В. С. Воробьёв, С. В. Максименко

Институт высоких температур АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрена кинетика возникновения плазмы вблизи поверхности тела, нагреваемого лазером. Предполагается, что температура поверхности в процессе нагрева не превосходит температуры кипения (сублимации) при заданном внешнем давлении и развитое испарение отсутствует. Для случая, когда характерное время изменения концентрации паров за счет нагрева поверхности велико по сравнению с характерным временем установления их распределения в пространстве, развита квазистационарная модель пробоя. Показано, что пробой паров и пробой окружающего газа происходят при различных интенсивностях лазерного излучения, а зависимость основных параметров приповерхностной лазерной плазмы от интенсивности излучения носит гистерезисный характер. Рассмотрен также случай, когда концентрация паров за счет нагрева меняется быстро по сравнению с характерным временем установления распределения паров. Показано, что при этом пробой паров материала мишени может сопровождаться пробоем окружающего газа. Проводится сопоставление с экспериментальными данными.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.50.Jm, 52.77.-j, 52.25.Kn

Поступила в редакцию: 28.03.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:5, 664–669

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024