О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой

Исследовались процессы деградации лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой, работающих при комнатной температуре. Показано, что одной из причин деградации неохлаждаемых лезеров в отличие от охлаждаемых является возрастание плотности дислокаций в активной области кристалла вследствие увеличения пластичности материала с ростом температуры.