RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 6, страницы 1208–1214 (Mi qe9105)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование охлаждаемого электроионизационного СО-лазера. I. Генерация на чистой окиси углерода

Н. Г. Басов, В. А. Данилычев, А. А. Ионин, В. С. Казакевич, И. Б. Ковш, Н. Л. Полетаев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Впервые экспериментально исследованы пороговые, энергетические, временные и спектральные характеристики импульсного охлаждаемого электроионизационного лазера на чистой окиси углерода (СО-ЭИЛ). Эксперименты проведены на установке с активным объемом –5 л при температуре рабочего газа ~100 K и плотности до 1,0 Амага. Длительность возбуждения варьировалась в диапазоне 30–300 мкс. Генерация наблюдалась в спектральной области 5,1–5,5 мкм, при увеличении энергии накачки спектр уширялся в коротковолновую область. Показано, что КПД СО-ЭИЛ на чистой окиси углерода не превышает 10%. Отмечается, что измеренные параметры СО-ЭИЛ не соответствуют результатам теоретических расчетов.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 04.08.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:6, 711–715


© МИАН, 2024