RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 6, страницы 1310–1319 (Mi qe9161)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Радиационно-оптическая устойчивость стеклянных волоконных световодов с малыми потерями

А. Н. Гурьяновabc, Д. Д. Гусовскийabc, Е. М. Диановabc, Л. С. Корниенкоabc, Е. П. Никитинabc, А. О. Рыбалтовскийabc, В. Ф. Хопинabc, П. В. Черновabc, А. С. Юшинabc

a Научно-исследовательский институт ядерной физики МГУ им. М. В. Ломоносова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
c Институт химии АН СССР, Горький

Аннотация: Исследована радиационно-оптическая устойчивость стеклянных волоконных световодов типа SiO2:GeO2–SiO2 и SiO2–SiO2:B2O3. Получены спектры наведенного поглощения в диапазоне длин волн 0,45–1,75 мкм при изменении дозы γ-облучения от 103 до 108 рад. Изучена кинетика роста наведенного поглощения световодов во время γ-облучения и кинетика спада наведенного поглощения по окончании облучения.

УДК: 535.8.666.189.2.666.11:621.039.533

PACS: 42.80.Mv, 61.80.Ed

Поступила в редакцию: 22.02.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:6, 768–773


© МИАН, 2024