RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 7, страницы 1525–1528 (Mi qe9205)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Растровый оптический микроскоп на основе полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком

С. А. Беляев, О. В. Богданкевич, С. И. Гавриков, В. Г. Дюков, В. П. Куклев, Л. Н. Невзорова, В. Н. Уласюк

Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва

Аннотация: Описан растровый оптический микроскоп, выполненный на базе электронно-зондового прибора «Камебакс». Сканирование лазерного луча осуществляется отклонением электронного зонда. Источником излучения служит лазерный элемент с монокристаллом сульфида кадмия. Прибор позволяет получать изображения в отраженном, прошедшем или рассеянном свете в широком диапазоне разверток, включая телевизионные. Разрешающая способность оценивается в 1 мкм; диапазон увеличений 100–1000 перекрывается без смены объектива. Возможен режим наведенного тока.

УДК: 159.962

PACS: 07.60.Pb, 42.60.Kg

Поступила в редакцию: 22.02.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:7, 891–893


© МИАН, 2024