Лазер с продольной накачкой CdHgTe электронным пучком

Для создания лазера использовались гетероструктуры CdHgTe/CdTe, выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальный слой CdHgTe являлся активной, а подложка CdTe – пассивной частями резонатора. При энергии электронов 50 кэВ и температуре 77 K получена генерация в Cd_0.65Hg_0.35Te на длине волны 1,48 мкм. Максимальная внешняя дифференциальная эффективность достигала 3,4%.