П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова, “Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2074

Физические процессы в лазерах

Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP

П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Изучена зависимость интенсивности люминесценции и времени жизни избыточных носителей от тока накачки в светодиодных гетероструктурах, излучающих на длинах волн 1,06, 1,27 и 1,55 мкм. Оценен коэффициент оже-рекомбинации, составивший соответственно 0,9 · 10 ^– 29, 3,1 · 10 ^– 29, 1,1 · 10 ^– 28 см⁶/с на указанных длинах волн.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 72.20.Jv, 79.20.-m

Поступила в редакцию: 06.12.1988