А. Г. Аванесов, А. Б. Балашов, И. П. Жуйко, Б. В. Игнатьев, О. В. Кузьмин, В. Ф. Писаренко, Е. Н. Тумаев, “Особенности дезактивации возбужденных состояний иона Cr3+- в кристаллах”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2083

Физические процессы в лазерах

Особенности дезактивации возбужденных состояний иона Cr³⁺- в кристаллах

А. Г. Аванесов, А. Б. Балашов, И. П. Жуйко, Б. В. Игнатьев, О. В. Кузьмин, В. Ф. Писаренко, Е. Н. Тумаев

Кубанский государственный университет, Краснодар

Аннотация: Исследовано влияние энергетических барьеров, определяющих скорости обмена между термически связанными уровнями, на закономерности дезактивации возбужденных примесных центров в кристаллах. Показано, что учет барьеров, определяющих скорости термического обмена между уровнями ²E и ⁴T₂, позволяет объяснить температурные зависимости формы спектра люминесценции и кинетики затухания возбужденных состояний иона Cr³⁺. Для кристалла ИСАГ: Cr³⁺ определены вероятности излучательных переходов с уровней ²E и ⁴T₂ и энергетический зазор между низшими колебательными состояниями этих уровней. Теоретически предсказано и экспериментально установлено существование температурных областей с экспоненциальными и неэкспоненциальными законами затухания люминесценции иона Cr³⁺.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 78.55.Hx

Поступила в редакцию: 28.04.1989