RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2089–2091 (Mi qe9245)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физические процессы в лазерах

Неизотермическая динамика усиления двухкомпонентного полупроводникового лазера

Л. А. Ривлин

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

Аннотация: Показано, что стимулированные внутрирезонаторным фотонным полем быстрые нагрев или охлаждение носителей заряда оказывают заметное воздействие на скорость насыщения усиления на участках двухкомпонентного инжекционного лазера, сглаживая или углубляя пикосекундные пульсационные процессы в нем.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 13.03.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:10, 1345–1346

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024