RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 4, страницы 313–317 (Mi qe932)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды

Оптические и безызлучательные переходы с участием триплетных состояний лазерных $F_3^+$-ЦО в кристаллах LiF

Т. Т. Басиев, И. В. Ермаков, К. К. Пухов

Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Обнаружены спин-триплетные электронные состояния в лазерных $F_3^+$-ЦО в кристаллах LiF. Измерены спектры триплет-триплетного поглощения из состояния $^3E$ в вышележащие триплетные состояния $^3\Gamma_\alpha, ^3\Gamma_\beta$, спектр триплет-триплетной флуоресценции на переходе $^3\Gamma_\alpha \to~^3E$ и спектр фосфоресценции, сопровождающeй интеркомбинационный триплет-синглетный переход $^3E \to~^1A_1$. Измерены также и вычислены температурные зависимости вероятностей безызлучательных синглет-триплетного ($^1E \to~^3E$) и триплет-синглетного ($^3E \to~^1A_1$) переходов. Обсуждается влияние спиновых триплетных состояний на характеристики LiF:$F_3^+$-лазера. Предложен способ получения перестраиваемой генерации в широком диапазоне видимого спектра на триплет-триплетном переходе $F_3^+$-ЦО в кристалле LiF.

PACS: 78.40.Ha, 78.55.Hx, 71.55.Ht, 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 16.10.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:4, 304–308

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024