RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 7, страницы 1485–1499 (Mi qe9347)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Материалы для реверсивной оптической памяти (обзор)

В. Н. Селезнев, Н. Н. Шуйкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР

Аннотация: Обсуждаются возможности применения ряда материалов для реверсивной оптической записи информации. Основное внимание уделено магнитным средам, сегнетоэлектрикам с фотопроводящим слоем, фотохромным материалам, аморфным полупроводникам и многослойным структурам металл – диэлектрик – полупроводник. Возможности использования материалов оцениваются по энергоемкости записи, разрешающей способности, эффективности считывания, быстродействию и другим параметрам.

УДК: 681.327

PACS: 42.70.Ln, 42.79.Vb, 42.79.Wc, 75.50.Ss

Поступила в редакцию: 10.01.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 4:7, 819–827


© МИАН, 2024