Фотодефлекционная спектроскопия ионно-имплантированного кремния

Методом фотодефлекционной спектроскопии (ФДС) изучены образцы монокристаллического кремния, имплантированные ионами висмута, железа и индия с энергией 25 кэВ. Показана возможность использования метода ФДС для контроля восстановления кристаллической структуры образцов при электронном отжиге. Изучена зависимость амплитуды ФДС-сигнала от дозы имплантированных ионов индия в диапазоне 5·10¹¹–5·10¹⁵ см^–2. Определен предел чувствительности метода по минимально детектируемой дозе имплантации – 2·10¹² см^–2. Сравниваются результаты исследований образцов методами ФДС и резерфордовского обратного рассеяния легких ионов.