RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 7, страницы 1586–1588 (Mi qe9379)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Исследование генерационных характеристик активных элементов из Li–Nd–La-фосфатного стекла

А. Г. Аванесов, И. В. Васильев, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, С. В. Зиновьев, А. С. Кузнецов, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, А. А. Семенов


Аннотация: Исследуются и сравниваются генерационные характеристики активных элементов размером 5×50 мм из Li–Nd–La-фосфатного стекла с концентрацией ионов Nd3+ 8·1020 см–3 и из Y3Al5O12–Nd3+ с концентрацией ионов Nd3+ 1,3·1020 см–3. Для активных элементов из Li–Nd–La-фосфатного стекла пороговая энергия накачки составляла 1 Дж, а динамический КПД в 1,5 раза выше, чем максимальный для Y3Al5O12–Nd3+. Это позволяет получить полный КПД лазера ~0,5% при накачке 2 Дж и более 1% при накачке 4 Дж. Исследование зависимости выходной энергии в импульсе от средней мощности накачки для активного элемента из Li–Nd–La-фосфатного стекла показало, что вплоть до мощностей накачки ~250 Вт изменение выходной энергии не превышает 10%.

УДК: 621.373.826.038.825.3

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 31.01.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:7, 937–938


© МИАН, 2024