Коэффициент усиления электромагнитного излучения полупроводника, помещенного в магнитное поле и в поле ультразвуковой волны

Рассчитан коэффициент усиления электромагнитной волны в полупроводнике, помещенном в магнитное поле и в поле ультразвуковой волны. Показано, что в широком диапазоне изменений параметров можно получить коэффициент усиления 1–500. Получены аналитические выражения зависимости действительной части высокочастотной проводимости от частоты при различных мощностях накачки, длинах ультразвуковой волны, температурах образца.