RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 4, страницы 345–346 (Mi qe943)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Определение температуры плазменного канала, возникающего при воздействии лазерного импульса наносекундной длительности на плотную газовую мишень

А. Бартникa, В. М. Дякинb, Е. Костецкиa, И. Ю. Скобелевb, А. Я. Фаеновb, Г. Федоровичa, М. Щурекa, Р. Яроцкиa

a Institute of Optoelectronics, Military Institute of Technology, Warsaw, Poland
b Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.

Аннотация: Проведены рентгеноспектральные исследования, позволившие определить распределение электронной температуры плазмы Te(x) в канале, возникающем при взаимодействии наносекундного лазерного импульса с плотной газовой мишенью. Полученная зависимость Te(x) в сочетании с ранее измеренными параметрами плазменного канала может быть использована для построения и проверки адекватности теоретической модели наблюдающегося явления.

PACS: 52.50.Jm, 52.70.La, 52.40.Nk

Поступила в редакцию: 06.12.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:4, 334–335

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024