Генерация второй гармоники и нелинейное отражение на поверхности полупроводниковых кристаллов класса m3m

Разработана теория ГВГ и нелинейного электроотражения на поверхности полупроводниковых кристаллов класса m3m с учетом поглощения в них волн накачки и второй гармоники. Нелинейная поляризация представлена как сумма трех вкладов: квадрупольного объемного, дипольного поверхностного и дипольного, связанного с нарушением инверсии в приповерхностном слое электростатическим полем. Для граней (001), (110) и (111) найдены выражения для этих вкладов. В приближении малых углов преломления получены формулы, описывающие зависимость интенсивностей p- и s-поляризованных волн отраженной второй гармоники от поверхностного потенциала и угла поворота отражающей грани относительно нормали к ней. Проанализирована применимость метода генерации отраженной второй гармоники для диагностики поверхности полупроводниковых кристаллов.