RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 9, страницы 1960–1965 (Mi qe9465)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Исследование пространственных характеристик стоксова излучения при вынужденном рассеянии в режиме насыщения

Г. Г. Кочемасов, В. Д. Николаев


Аннотация: В условиях отсутствия параметрических межмодовых взаимодействий получена замкнутая система уравнений для интенсивностей волн накачки и стоксова излучения и коэффициента воспроизведения при вынужденном рассеянии в волноводе в режиме насыщения. Рассмотрено как попутное, так и обратное рассеяние. Показано, что с увеличением коэффициента отражения при обратном рассеянии воспроизведение улучшается. При попутном рассеянии коэффициент воспроизведения зависит от соотношения между начальным коэффициентом корреляции и отношением величин входного сигнала и накачки.

УДК: 535.36:538.3

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 22.01.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:9, 1155–1157


© МИАН, 2024