Эта публикация цитируется в
1 статье
О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового
тока
И. Исмаилов,
И. М. Цидулко Физико-технический институт им. С. У. Умарова, Душанбе
Аннотация:
Теоретически рассмотрена диффузия электронов в активной области гетеролазера в условиях утечки носителей через гетеробарьер высотой
Δ, их излучательной рекомбинации в активной области и поверхностной рекомбинации на гетерогранице. По известной температурной зависимости порогового тока гетеролазера, в котором отсутствуют утечка и поверхностная рекомбинация на гетерогранице, получено выражение для температурной зависимости порога
jпор(T) при наличии этих факторов. Проведено сравнение теории с экспериментом для ДГС лазеров на основе InGaPAs/InP и Al
xGa
1-xAs/Al
yGa
1–yAs. На основе удовлетворительного совпадения теоретических и экспериментальных кривых сделаны следующие выводы: а) разница в ширине запрещенной зоны материалов, образующих гетеропереход
ΔEg, совпадающая по величине с
Δ, целиком приходится на зону проводимости; б) экспериментальная зависимость
jпор(T) накладывает дополнительную связь на такие параметры материалов, образующих гетеропереход, как время жизни электронов в активной и пассивной областях, их диффузионная длина, толщина активного слоя. Получена оценка времени жизни электронов в активной области гетеролазера на основе InGaPAs/InP с
Δ = 160 мэВ порядка 6 нс.
УДК:
621.315.595
PACS:
42.55.Rz Поступила в редакцию: 24.01.1979