RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 9, страницы 1977–1983 (Mi qe9470)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового тока

И. Исмаилов, И. М. Цидулко

Физико-технический институт им. С. У. Умарова, Душанбе

Аннотация: Теоретически рассмотрена диффузия электронов в активной области гетеролазера в условиях утечки носителей через гетеробарьер высотой Δ, их излучательной рекомбинации в активной области и поверхностной рекомбинации на гетерогранице. По известной температурной зависимости порогового тока гетеролазера, в котором отсутствуют утечка и поверхностная рекомбинация на гетерогранице, получено выражение для температурной зависимости порога jпор(T) при наличии этих факторов. Проведено сравнение теории с экспериментом для ДГС лазеров на основе InGaPAs/InP и AlxGa1-xAs/AlyGa1–yAs. На основе удовлетворительного совпадения теоретических и экспериментальных кривых сделаны следующие выводы: а) разница в ширине запрещенной зоны материалов, образующих гетеропереход ΔEg, совпадающая по величине с Δ, целиком приходится на зону проводимости; б) экспериментальная зависимость jпор(T) накладывает дополнительную связь на такие параметры материалов, образующих гетеропереход, как время жизни электронов в активной и пассивной областях, их диффузионная длина, толщина активного слоя. Получена оценка времени жизни электронов в активной области гетеролазера на основе InGaPAs/InP с Δ = 160 мэВ порядка 6 нс.

УДК: 621.315.595

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 24.01.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:9, 1163–1166


© МИАН, 2024