Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках

Предложена и испытана методика измерений времени жизни τ неравновесных носителей заряда порядка (10^–9–10^–11) с в фотопроводниках, основанная на измерении фазового сдвига фотоответа с помощью оптической линии задержки. Проведены измерения времени жизни для образцов Ge–Zn^II, обладающих величинами τ в диапазоне (7·10^–11–7·10^–10) с. Представленные результаты сопоставлены с временем жизни полученным по амплитудно-частотным характеристикам фотоответа и с результатами численного расчета. Проведен анализ точности измерений для использованной методики.