RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 10, страницы 2243–2245 (Mi qe9537)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Интерпретация эффекта частотной автомодуляции излучения полупроводникового лазера

П. Г. Елисеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Дана физическая модель, объясняющая девиацию частот продольных мод в полупроводниковом лазере, которая наблюдается при амплитудной автомодуляции излучения. Сущность эффекта состоит в том, что колебания амплитуды сопровождаются синхронными колебаниями концентрации избыточных электронов, которая, в свою очередь, влияет на оптическую длину резонатора и частоту продольных мод. Показано, что колебания концентрации электронов на 10–20% могут давать девиацию, сравнимую с межмодовой дистанцией в AlGaAs-гетеролазерах при комнатной температуре.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 06.03.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:10, 1316–1317


© МИАН, 2024