RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 11, страницы 2271–2278 (Mi qe9585)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Взаимодействие излучения с веществом. Лазерная плазма

Особенности распределения электромагнитного излучения в приповерхностном слое сульфида кадмия при комбинированном электронно-световом отжиге

В. В. Капаев

Московский институт электронной техники

Аннотация: Исследуется распространение электромагнитного излучения в слоисто-периодической структуре, образующейся в приповерхностной нарушенной области сульфида кадмия при электронно-световом отжиге. Появление этой структуры с периодом d0 = λ / 2n1 обусловлено отжигом во время действия первого импульса нарушенного материала в участках максимумов интенсивности интерференционной картины и различием коэффициентов преломления разупорядоченной фазы n1 и совершенного материала n0. Показано, что максимумы интенсивности в слоисто-периодической структуре расположены вне областей, отожженных во время действия первого импульса. Это приведет к росту объема отожженных участков от импульса к импульсу. Для отжига всего нарушенного слоя достаточно смещения фронта рекристаллизации на величину ~ d0, так как смещение будет происходить в каждом из периодов. Период структуры d0 близок к периоду, при котором наблюдается эффект непропускания. Следствием этого являются аномалии распределения интенсивности I (x) в структуре. Наблюдается квазипериодичность в I (x), причем величина квазипериода значительно превышает d0, а интенсивность в максимуме может существенно превышать интенсивность падающей волны, что увеличивает эффективность отжига внутренних областей.

УДК: 621.373.826

PACS: 61.80.Fe, 61.80.Ba, 78.68.+m, 61.82.Fk, 81.40.Ef, 61.72.Cc

Поступила в редакцию: 03.08.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:11, 1460–1465

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024