RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 4, страницы 725–729 (Mi qe9684)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Особенности генерации света и ВКР в кристаллах антрацена

О. С. Аванесянab, В. А. Бендерскийab, В. X. Брикенштейнab, В. Л. Броудеab, А. Г. Лаврушкоab, И. И. Тартаковскийab, П. В. Филипповab

a Институт химической физики АН СССР, Москва
b Институт физики твердого тела АН СССР, Москва

Аннотация: Для исследования нелинейных оптическая явлений в кристаллах антрацена использован метод возбуждения, в котором накачка фокусируется на образец в виде полосы (шнура) с размером и направлением, подстраиваемым соответственно положению и размеру наиболее оптически однородных каналов в кристалле. Показано, что интенсивность генерации в полосе 23 692 см–1 в канале превышает 2·108 Вт/см2. В этих условиях наблюдаются две стоксовы компоненты ВКР на внутримолекулярном колебании 1403 см–1, возбуждаемом светом генерации.

УДК: 535.375

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Cq, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 20.02.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:4, 403–405


© МИАН, 2024