RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 9, страницы 1748–1753 (Mi qe9707)

Лазеры

Эффективная внутрирезонаторная ГВГ в миниатюрных твердотельных лазерах с полупроводниковой накачкой

С. А. Барышев, C. А. Белозеров, В. И. Билак, А. А. Иолтуховский, И. И. Куратев, А. В. Семененко, Ю. В. Цветков


Аннотация: Теоретически и экспериментально исследована внутрирезонаторная ГВГ излучения непрерывных твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой. При накачке АИГ:Nd3+ излучением светодиодных линеек непрерывная мощность генерации на λ = 1,06 и 1,32 мкм в одномодовом режиме составила 120 и 100 мВт соответственно, мощность излучения на λ = 0,53 мкм 30 мВт. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с расчетом. Максимальные мощности в многомодовом режиме на λ = 1,06 и 0,53 мкм достигали 220 и 50 мВт. Анализируются результаты, полученные при ГВГ излучения лазера на тетрафосфате лития-неодима с накачкой одним инжекционным лазером. Показано, что внутрирезонаторная ГВГ в лазерах с полупроводниковой накачкой позволяет на 1–2 порядка повысить КПД, уменьшить массу, габариты и материалоемкость, существенно увеличить срок службы лазеров зеленой области спектра.

УДК: 621.373.826.038.825

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Ky, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 11.07.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:9, 1115–1118

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024