Варизонная гетероструктура на основе $Al_xOa_{1-x}As$ для лазера с накачкой электронным пучком

Описана варизонная гетероструктура на основе твердого раствора $p$-$Al_xGa_{1-x}As$ для лазера с поперечной накачкой электронным пучком. Структура состоит из буферного слоя $Al_xGa_{1-x}As$ ($x\approx0,2$) на подложке $GaAs$, активного слоя $GaAs$ и слоя твердого раствора переменного состава ($0,1\lesssim x\lesssim0,3$) с увеличивающейся к поверхности шириной запрещенной зоны. Предложена методика получения структур принудительным охлаждением насыщенного раствора-расплава $Ga-Al-As$, содержащего $Si$ в качестве $p$-примеси ($[p]=(3-5)\cdot 10^{17}$ см$^{-3}$), в сочетании с изотермическим смешиванием двух растворов с различной концентрацией $AL$. Исследованы параметры режима генерации изготовленных лазеров при $T=300$ K.