RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 11, страницы 2485–2487 (Mi qe9778)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Влияние двухфотонного поглощения на гиперкомбинационное рассеяние света

Ю. Н. Поливанов, Р. Ш. Саяхов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: На примере кристалла CdS впервые экспериментально продемонстрировано, что двухфотонное поглощение гиперкомбинационно рассеянного света в поле интенсивного возбуждающего излучения может приводить к отклонению от квадратичной зависимости мощности рассеянного света от интенсивности возбуждающего излучения. Из экспериментально полученной зависимости проведена оценка величины коэффициента двухфотонного поглощения, значение которой по порядку величины находится в согласии с опубликованными данными по измерению двухфотонного поглощения в кристалле CdS.

УДК: 535.375.5

PACS: 42.65.Cq, 78.30.Gt

Поступила в редакцию: 07.06.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:11, 1472–1473


© МИАН, 2024