RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 9, страницы 1851–1853 (Mi qe9795)

Нелинейно-оптические явления и устройства

Влияние нелинейного поглощения на нелинейный набег фазы излучения в InSb и InAs на 10,6 мкм

В. И. Ковалев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: В лучевом приближении рассмотрена задача о нелинейном набеге фазы излучения, распространяющегося в среде с сильным нелинейным поглощением. Для InSb и InAs рассчитаны зависимости нелинейного набеги фазы от интенсивности падающего излучения.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.-k, 42.70.Nq

Поступила в редакцию: 13.01.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:9, 1180–1181

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024