Автоволны концентрации носителей в инжекционных лазерах на основе PbS$_{1-x}$Se$_x$

В результате изучения временных изменений спектрально-пространственного распределения излучения импульсных инжекционных гомолазеров с широким контактом на основе PbS$_{1-x}$Se$_x$ установлено, что в этих структурах возбуждаются автоволны концентрации свободных носителей заряда с двумя близкими частотами ($\lesssim$10$^7$ Гц). Наличие автоволн приводит к возникновению каналов генерации лазерного излучения двух типов, связанных с модуляцией показателя преломления и коэффициента оптического усиления. Ширина каналов при этом задается толщиной пластины, из которой изготовлен лазерный диод, и не зависит от ширины резонатора. Установлено, что поперечное (вдоль плоскости $p$-$n$-перехода) межмодовое расстояние определяется амплитудой автоволн и их пространственным периодом (шириной каналов). Исследовано влияние условий эксплуатации лазерных диодов на параметры автоволн. Сильный разброс пороговой плотности тока в серии из 30 инжекционных лазеров с неизменной длиной резонатора, свежеизготовленных четырехсторонним скалыванием из одной пластины, объясняется изменением бокового оптического ограничения при изменении ширины резонатора вследствие интерференции автоволн в резонаторе, образованном боковыми гранями кристалла.