С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта”, Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1,страницы 123

Эта публикация цитируется в 2 статьях

О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта

С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Обнаружено, что при возбуждении лазеров импульсами тока длительностью несколько микросекунд форма светового импульса отличается от формы токового импульса. Вершина светового импульса содержит ступеньку (скачок световой мощности) при гладкой вершине импульса тока. Изучено изменение спектра излучения и диаграммы направленности при таких скачкообразных изменениях мощности. На основе самофокусировки предложено объяснение подобного поведения лазеров с полосковой формой контакта.

УДК: 621.382

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 25.05.1979