RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1, страницы 155–169 (Mi qe9863)

Методы определения тепловых характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров

Ю. М. Миронов, В. И. Молочев, Г. Т. Пак, А. С. Семенов, А. Б. Сергеев, И. В. Яшумов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Предложены методы определения тепловых характеристик ($TX$) инжекционных лазеров по пороговым токам различных режимов работы, отличающиеся простотой измерения исходных данных, необходимых для вычисления $TX$. Показано, что часть джоулева тепла, выделяющегося на активном сопротивлении лазерного диода, эффективно отводится хладопроводом и не приводит к разогреву активной области. Предложен способ определения тепловой мощности, приводящей к разогреву активной области. Показано, что пренебрежение указанным механизмом отвода части тепла может привести к существенной ошибке в определении $TX$.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 09.07.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:1, 87–94

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024