RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1, страницы 179–181 (Mi qe9865)

Краткие сообщения

Механизм усиления светорассеяния при оптической записи на пленках $As_2S_3$

А. А. Аникин, В. К. Малиновский, А. А. Соколов

Институт автоматики и электрометрии, Новосибирск

Аннотация: Экспериментально исследована кинетика светорассеяния при экспонировании пле­нок $As_2S_3$ монохроматическим излучением и белым светом. Установлено, что наблюдаемое в эксперименте значительное возрастание светорассеяния обусловлено когерент­ностью света. Максимальное значение рассеяния зависит от начального уровня рассеяния и толщины пленки. Показано, что источником сильного начального рассеяния пле­нок толщиной более 7 мкм является поверхностный слой пленки.

УДК: 339.213

PACS: 78.65.Jd

Поступила в редакцию: 23.04.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:1, 100–101

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024