Использование периодических структур специального профиля в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой

Представлены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на периодических структурах. Использование образцов специального профиля, в которых площадь зеркал превышает площадь поперечного сечения резонатора, позволило значительно улучшить диаграмму направленности излучения.