Нелинейное пропускание света тонкой пленкой полупроводника в области экситонного резонанса

Теоретически исследован когерентный нелинейный отклик экситонов и биэкситонов в тонкой пленке полупроводника под воздействием резонансного лазерного излучения. Показано, что благодаря насыщению экситонного перехода имеет место пороговое качественное изменение характера пропускания пленки от полного отражения падающего импульса при малых амплитудах накачки до осцилляционного отражения при больших амплитудах падающего импульса. Получена новая теорема площадей для УКИ, устанавливающая соответствие между площадями падающего, прошедшего и отраженного импульсов. При большом параметре нелинейности отмечается аномальный характер пропускания и отражения («квантование» площадей). В квазистационарном режиме получены уравнения состояния, описывающие бистабильное поведение амплитуд полей проходящего и отраженного излучения.