Передача энергии спонтанного излучения в гетеропереходных лазерных диодах

Представлены расчеты параметра f, который определяет часть энергии спонтанного излучения, проходящую через пассивные слои GaAlAs и поглощающуюся вне активного слоя. Знание величины f необходимо при расчете распределения температуры в объеме лазерного диода. Получено, что величина f для типичного лазерного диода с односторонней гетероструктурой GaAs/Al_0,3Ga_0,7As (толщина активного слоя d = 2 мкм и длина резонатора L = 400 мкм) составляет примерно 0,335 и для лазерного диода с симметричной двусторонней гетероструктурой (d = 0,2 мкм, L = 400 мкм) составляет 0,671. В лазерных диодах с полосковой геометрией и типичным значением ширины полоски W = 10 мкм величины f уменьшаются до 0,271 и 0,658 для аналогичных лазеров с одно- и двусторонней гетероструктурами соответственно.