RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 2, страницы 244–248 (Mi qe9908)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Особенности развития лазерной плазмы вблизи твердой мишени в газах при повышенном давлении

А. А. Углов, А. Л. Галиев

Институт металлургии им. А. А. Байкова АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы особенности развития лазерной плазмы вблизи поверхности твердой мишени при действии излучения неодимового лазера, плотность потока излучения $q$ которого изменяется в пределах 1–10 МВт/см${}^2$. Развиты качественные представления о механизме зажигания лазерной плазмы вблизи твердой мишени в широком диапазоне давлений $p$ (1–120 атм) окружающего мишень газа (азот, гелий). В зависимости от значений $q$ и $p$ имеют место три механизма зажигания плазмы.

УДК: 533.9:621.373.826

PACS: 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 10.04.1979
Исправленный вариант: 06.07.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:2, 143–146

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024