Аннотация:
Проанализированы имеющиеся данные по характеристикам разряда и генерации, а также по кинетике заселения уровней импульсных лазеров на парах металлов и их галогенидов с добавками водорода и HВr. Рассмотрено влияние диссоциативного прилипания, в частности к молекуле HВr, на кинетику образования инверсии в этих лазерах. Показано, что учет данного процесса позволяет объяснить все наблюдавшиеся особенности рассматриваемых лазеров, включая увеличение эффективности и мощности CuBr-лазера c добавкой водорода и гибридного лазера. Добавка молекул с большим сечением диссоциативного прилипания и с соответствующим расположением максимума сечения открывает новые возможности улучшения характеристик импульсных лазеров на r – m-переходах.