RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 2, страницы 355–365 (Mi qe9936)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование метода повышения эффективности генерации разностной частоты при ВКР, основанного на использовании неоднородного электростатического поля

В. С. Бутылкин, П. С. Фишер, М. Ф. Шаляев

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: Исследована резонансная параметрическая генерация разностной частоты (ГРЧ) при ВКР света в присутствии периодически-неоднородного электростатического поля (ПН ЭСП) (налагаемого извне или внутрикристаллического). Для произвольных соотношений между параметрами системы (коэффициентами поглощения ГРЧ и усиления стоксовой компоненты ВКР, волновой расстройкой и периодом ПН ЭСП) найдены интенсивности ГРЧ, достигаемые как на начальном участке, так и в максимуме. Показано, что, создавая ПН ЭСП, можно скомпенсировать уменьшение эффективности ГРЧ, обусловленное не только волновой расстройкой, но и параметрическим просветлением. Обсуждаются условия, при которых выигрыш в интенсивности ГРЧ составляет несколько порядков. При использовании ПН ЭСП, налагаемого на сжатый $H_2$, получен выигрыш в 20-80 раз для накачки с $\lambda_H=1,06$ мкм и в $\gtrsim100$ раз для накачки с $\lambda_H=0,694$ мкм, что соответствует оценке на основе выведенных в работе формул.

УДК: 621.378.9

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 04.07.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:2, 202–208

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024